工程名称：安森美半导体封装超纯水项目
工程地点：广东深圳
系统工艺：MMF+ACF+2RO+EDI+SMB
产水规模：20m3/h
TOC<50ppb
颗粒度（PARTICLE）达到0.2um<3-5PCS/ML
二氧化硅SiO2<10ppb
水质要求：≥18.2MΩ*cm（25℃）
公司简介
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)致力于推动高能效电子的创
新，使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案，提供全面
的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制
器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、
航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在
北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。
引言电子行业已经成为体现国家科技工业水平的标准之一，其中半导体行业也是重中之重。 在电子行业的产品制造工艺中，对生产用水的水质要求很高。通常需要用水点的电阻率到达18MΩ.cm（25℃），也就是超纯水。 电子行业的超纯水制备系统通常是由预处理、脱
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引言反渗透技术因设计简单、运行维护方便等特点，在苦咸水脱矿、海水淡化、超纯水以及废水回用甚至特殊料液浓缩领域得到广泛应用。相较于初期的醋酸纤维素薄膜，以聚酰胺为脱盐层的反渗透复合膜具有脱盐率高、产水量大、耐化学清洗pH范围宽等诸多优势。随着现代工业的
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·A、生化系统浮渣、泡沫的产生原因及对策 生化池产生浮渣原因：来自活性污泥系统的不正常代谢，也可能是无机颗粒上浮导致。 二沉池浮渣：来自生化系统的浮渣、二沉池活性污泥硝化后污泥上浮、二沉池缺氧严重导致厌氧污泥上浮。 泡沫成因：水体黏度
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